Транзистор IRF640N, 200В, 18А, TO-220

 Характеристики:

• Транзистор IRF640N n-канальный, МОП (MOSFET).
• Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
• Максимальный ток стока: 18,0 А.
• Статические сток-исток-сопротивление: 0,15 Ω.
• Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
• Маркировка транзистора указывается на корпусе.
• Тип корпуса: ТО-220AB.
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C